Galyum nitrat temelli milli transistörler yüksek hızlarda, yüksek güçlerde ve uzay radyasyonu ortamında bile çalışma özelliği gösteriyor
Bilkentli mühendisler, uydularda kullanılmak üzere yüksek hızlı (RF) transistör teknolojisini milli imkanlarla geliştirdi. Galyum nitrat temelli transistörler yüksek hızlarda, yüksek güçlerde ve uzay radyasyonu ortamında bile çalışma özelliği gösteriyor.
Bilkent Üniversitesi'nde geliştirilen uydu teknolojileri, 2016 yılında ASELSAN'la birlikte ticari ürün olarak üretilecek. TÜBİTAK tarafından desteklenen ve Savunma Sanayi Müsteşarlığı (SSM) tarafından yürütülen bir uydu projesinde geliştirilen transistör teknolojileri, Türkiye'de üretilecek uydularda kullanılacak.
Geliştirilen malzemeyle yapılan yüksek hızlı elektronik devrelerin uzayda çok daha uzun süre kullanılabilmesi sayesinde, iletişim uydularının daha yüksek kapasiteyle uzun süreli çalışacağı ve bu durumun uydularda önemli bir maliyet avantajı getireceği belirtiliyor.
Bilkent Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Öğretim Üyesi ve Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) Başkanı Prof. Dr. Ekmel Özbay, uydularda yer alan iletişim sistemlerde kullanılacak yüksek güçlü ve hızlı elektronik devrelerin tamamen Türkiye'de üretildiğini ve bu teknolojinin ASELSAN ile birlikte ortak üretiminin gerçekleşeceğini ifade etti.
Bilkent'de üretilen yüksek hızlı ve güçlü transistörlerde kullanılan bu malzemenin daha önce uydularda hiç kullanılmadığını ifade eden Özbay, ''Biz Türkiye'nin bu teknolojiyi uzayda kullanan ilk ülke olmasını hedefliyoruz'' dedi.
''Türkiye uzaya artık daha yakın''
Prof. Dr. Özbay, Bilkent Üniversitesi ve ASELSAN'ın beraber çalıştığı TÜBİTAK tarafından desteklenen proje kapsamında, yüksek hızlarda ve güçlerde çalışan, uzaya uyumlu yeni nesil transistör teknolojisini geliştirdiklerini açıkladı.
Geliştirdikleri transistörlerin galyum nitrat tabanlı olduğunu aktaran Özbay, geliştirilen yeni nanoelektronik devreler ile uyduların hafif olarak tasarlanmasının da mümkün olacağını kaydetti.
Geliştirilen transistörlerin uzaya tam uyumunun da mümkün olduğunu belirten Özbay, şöyle konuştu:
''Uydularda kullanılan transistörlerin 3 temel gereksinimi var. Yüksek hız, yüksek güç ve uzay radyasyon ortamına uyumluluk. Biz bu 3 temel gereksinimi sağlayan transistör teknolojisini Türkiye'de geliştirdik. İletişim uydularının en kritik kompenentleri arasında bulunan verici antenlerinde bu transistörleri kullanıyoruz. Yani çalışmamızla uzaya artık daha da yaklaştık diyebiliriz.''
Özbay, TÜBİTAK, SSM, Kalkınma Bakanlığı, MSB Ar-Ge ve Teknoloji Dairesi tarafından desteklenen projeler kapsamında NANOTAM'da oluşturulan altyapının kullanıldığı bu teknolojinin, tasarımı ve üretimi tamamen milli olan ilk haberleşme uydu alt sisteminde kullanılacağını dile getirerek, Bilkent Üniversitesi'nde 50 araştırmacının bu tür uzay teknolojilerinin daha da ileriye götürülmesi için çalışmalarını sürdürdüğünü belirtti.
Bilkent Üniversitesi NANOTAM ve ASELSAN arasında ''Galyum Nitrat Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda imzalanan anlaşma ile dünya çapında çok az sayıda kurumun elinde bulunan kritik teknoloji artık Türkiye'de üretilecek.
Bilkent Üniversitesi NANOTAM ve ASELSAN'ın ortak yer alacağı yatırım sonucunda dünyada sayılı ülkede bulunan olan ''GaN Transistör Teknolojisi''nin ticari üretiminin Türkiye'de hayata geçirilmiş olacak. İmzalanan anlaşma sonucunda altyapı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanması ve ilk ürünlerin 2016'da kullanılmaya başlanması öngörülüyor.
Kaynak: BURSADA BUGÜN
Teknoloji, 2012.10.29 13:05